|
Tấm quang điện mặt trời hai mặt giúp tăng hiệu quả sản xuất điện. Nguồn: RNC
|
Tấm quang điện mặt trời hai mặt có hiệu quả vượt trội nhờ sử dụng kỹ thuật laser doping. Đây là kỹ thuật dùng laser để tăng độ dẫn điện cục bộ và được đánh giá là “điểm nhấn” để sản xuất mô-đun năng lượng mặt trời trong tương lai vì nó có nhiều ưu điểm như thao tác thuận lợi ở điều kiện nhiệt độ phòng, dễ kiểm soát và quan trọng hơn là có chi phí thấp nên phù hợp cho mục đích đại trà trong công nghiệp và ứng dụng dân sinh.
Theo Tiến sĩ Marco Ernst, Trưởng nhóm nghiên cứu ở ANU, nhờ laser doping, nhóm nghiên cứu đã thành công trong việc tạo ra tấm quang điện hai mặt với hiệu suất chuyển đổi năng lượng kỷ lục, mặt trước là 24,3%, và mặt sau là 23,4%.
Cụ thể, tấm quang điện hai mặt tạo ra năng lượng từ cả hai phía, đón nhận ánh sáng được phản chiếu lại và chuyển thành điện năng, hiệu quả hơn nhiều so với tấm quang điện silicon một mặt về mặt quang năng.
Kết quả nói trên đã được xác nhận độc lập bởi Phân ban Nghiên cứu Khoa học và Công nghiệp Australia (CSIRO). Với tỷ lệ này, hiệu quả của mặt sau so với mặt trước tăng lên tới 96,3%. Kết quả, pin mới có hiệu quả sinh điện là 29% hay tạo thêm 30% điện năng so với pin silicon một mặt tốt nhất hiện nay.
"Đây là kỷ lục thế giới với tấm quang điện mặt trời sử dụng laser doping, có hiệu suất cao nhất”, Tiến sĩ Marco Ernst cho biết.